第五届集创赛——艾为杯

艾为杯

¨ 杯赛题目：具有高瞬态响应的低功耗无片外电容LDO设计

¨ 参赛组别：A组、B组

¨ 设计任务：

设计一款无外接电容的LDO电路，该电路用于数模混合芯片内部数字部分的供电。

¨ 设计指标：

1. 工作温度：-40℃～+125℃

2. 工作电压：2.5V～3.6V

3. 供电电压调整率：8mV/V（工作电压范围2.5V~3.6V）

4. 负载调整率：在PVT下，输出电流范围（100uA~20mA）理想参考电压下输出电压变化范围为1.2V+/-1%

5. LDO输出电压时域响应：1.2V+/-10%(理想参考电压情况下，负载电流从低（200uA）变高（20mA），或者从高(20mA)变低(200uA)，切换时间=1ns，恢复时间小于5us。

6. 工作电流：静态电流:≦10uA（①无负载,该设计不包括带隙基准设计，建议达到的目标     ②负载100uA,该设计不包括带隙基准设计，最低达到的目标）

7. 负载电流能力：平均负载10mA

8. LDO在2pF~100pF（100uA~20mA）,保持稳定性

9. 工艺：不限

¨ 附加题：

1. 能够根据负载不同，最大程度的进行低功耗设计（10分）

2. 高瞬态响应设计能满足不同工作模式下的负载输出要求。（15分）

¨ 提交内容：

1. 汇报PPT：项目介绍、关键技术介绍、性能指标

2. 详细设计方案：系统架构分析、关键技术原理分析及电路指标要求

3. 仿真验证文件：前后仿结果

4. 原理图，版图及验证文件

¨ 评分标准：

¨ 参考资料：

1. Chong, SauSiong, and Pak Kwong Chan. “A 0.9-/Spl Mu/A Quiescent Current Output-Capacitorless LDO Regulator With Adaptive Power Transistors in 65-Nm CMOS.” IEEE Transactions on Circuits and Systems, vol. 60, no. 4, 2013, pp. 1072–1081.

2. Guo, Jianping, and Ka Nang Leung. “A 6- $\mu$ W Chip-Area-Efficient Output-Capacitorless LDO in 90-Nm CMOS Technology.” IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol. 45, no. 9, 2010, pp. 1896–1905.

3. Chava, C. K., and J. Silva-Martinez. “A Frequency Compensation Scheme for LDO Voltage Regulators.” IEEE Transactions on Circuits and Systems I-Regular Papers, vol. 51, no. 6, 2004, pp. 1041–1050.

        其他注意事项：

        1、参加企业命题杯赛的作品，杯赛出题企业有权在同等条件下优先购买参加本企业杯赛及单项奖获奖团队作品的知识产权。

        2、大赛组委会对参赛作品的提交材料拥有使用权和展示权