第七届集创赛职业技能赛项全国总决赛紫光教育职业技能杯比赛方案
1. 比赛队伍
共计31支参赛队进入决赛，分为A、B两组，分组情况如下：
A组 | CS1112 | B组 | CS1071 |
CS1171 | CS1141 | ||
CS1212 | CS1179 | ||
CS1213 | CS1080 | ||
CS1046 | CS1104 | ||
CS1047 | CS1049 | ||
CS1108 | CS1144 | ||
CS1214 | CS1169 | ||
CS1064 | CS1124 | ||
CS1136 | CS1152 | ||
CS1162 | CS1150 | ||
CS1140 | CS1157 | ||
CS1050 | CS1127 | ||
CS1167 | CS1189 | ||
CS1041 | CS1078 | ||
CS1134 |
2. 参赛队员需提前携带到决赛现场的物品
序号 | 物品 | 说明 |
1 | 各个参赛队员身份证 | 用于核验身份 |
2 | 笔记本电脑 | 用于答辩，答辩PPT格式自拟，PPT相关理论内容和预准备工作可在比赛前进行 |
3 | U盘 | 用于将实操环节相关记录拷贝到U盘中作为答辩PPT素材，实操环节后整理到答辩PPT中。 |
3. 现场比赛事项说明
比赛由实操环节和答辩环节两部分组成，具体时间表和注意事项如下：
日期 | 时间 | 事项 | 注意事项 |
2023年 8月28日 上午 | 9:15-9:30 | A组参赛队检录 | A组参赛队逐一入场查验身份，领取纸质比赛赛题（注：领取过程为随机抽取，比赛赛题上标记有座位号，同时也是下午答辩的顺序号），按座位号就坐，检查比赛设备是否正常，提前阅读比赛赛题，做好比赛准备工作。 |
9:30-10:30 | A组参赛队实操环节 | 裁判员会同步巡检各个选手的实际操作，对于有不规范操作的事项，将在实操成绩中扣分，比赛结束前，自行准备U盘，将实操环节相关记录拷贝到U盘中作为下午答辩的素材，也可通过拍照等其他方式留存实操环节的相关记录。 | |
10:30-10:45 | 裁判员复位比赛设备，做好B组参赛队参赛准备 | ||
10:45-11:00 | B组参赛队检录 | 同A组参赛队检录注意事项 | |
11:00-12:00 | B组参赛队实操环节 | 同A组参赛队实操环节录注意事项 | |
2023年 8月28日 下午 | 13:00-14:30 | A组参赛队答辩 | 答辩顺序按上午座位号顺序进行，答辩前核验身份，每组6分钟（含提问环节），自备笔记本电脑，自行准备答辩PPT，格式自拟，结合理论分析和实操结果进行答辩，可增加一些创意，PPT相关理论内容和预准备工作可在比赛前进行，实操过后，自行填入实操过程中的相关实操结果数据和截图，形成最终答辩PPT，对于答辩过程较好的队伍将予以加分。 |
14:30-16:00 | B组参赛队答辩 | 同A组参赛队答辩注意事项 |
附：比赛样题（该样题供参考，具体以决赛现场拿到的纸质比赛题目为准）
2023年紫光教育职业技能杯决赛题目
（样题）
1. 比赛过程说明
请完成如下三个任务的实操过程，尽可能全面详实的记录实操过程中的各项数据，可以是截图数据，也可以导出数据，并利用这些数据准备答辩PPT。
任务一：完成指定厚度的氧化层制造
使用竞赛设备提供的国产EDA仿真工具中的氧化单步工艺，完成25纳米厚度（此数值为样题，具体以决赛现场拿到的纸质比赛题目为准）的氧化层制造，具体要求如下：
1） 任意设置衬底（外延片）的参数进行制造，包括：衬底材料、衬底初始掺杂杂质、衬底初始掺杂浓度、衬底制造晶相。
2） 可供使用的氧化单步工艺参数包括：氧化类型、氧化时间和氧化温度。
任务二：完成集成电路扩散电阻的制造和电阻阻值的测量
1） 使用竞赛设备提供的国产EDA仿真工具中的各种单步工艺，完成100欧姆阻值（此数值为样题，具体以决赛现场拿到的纸质比赛题目为准）的集成电路扩散电阻的工艺制造过程，具体要求如下：
a) 可使用的单步工艺包括：氧化、光刻、刻蚀、离子注入、退火、扩散、淀积和外延8种单步工艺。
b) 如下图所示，需要完成扩散电阻的前后道工序，前道工序主要包括：制作N型扩散区；后道工序主要包括：制作P和N两个电极。
2） 使用竞赛设备提供的国产半导体参数分析仪，完成上述制造电阻的电流电压特性的测量，并计算扩散电阻阻值。
任务三（加分题）：请根据自行掌握的集成电路制造技能，结合上述扩散电阻的制造过程，自行设计，完成一个集成电路二极管的制造过程。（注：此题目为样题，仅供参考，具体以决赛现场拿到的纸质比赛题目为准，该加分题出题范围为任务二的延伸性题目，自行发挥创意进行设计）
2. 评分标准
比赛任务 | 具体内容 | 分值 | 考核方式 |
任务一 | 考察参赛者实操过程的规范性，例如：使用参数提取功能提取氧化层厚度属于规范操作，根据图像估算氧化层厚度属于不规范操作。 | 10分 | 实操环节裁判员现场打分 |
考察制造结果的正确性 | 10分 | 根据参赛队答辩环节展示情况打分 | |
考察参赛者最终制造的氧化层厚度与题目给定的氧化层厚度的误差，误差越小者得分越高 | 20分 | 根据参赛队答辩环节展示情况打分 | |
任务二 | 参赛者需要进行一定的理论分析和设计，设计合理的制造步骤和参数，要包含实现上述阻值的手工分析和理论计算过程。 | 10分 | 根据参赛队答辩环节展示情况打分 |
考察参赛者实操过程的规范性，如半导体参数分析仪使用得当等内容 | 10分 | 实操环节裁判员现场打分 | |
考察制造结果的正确性 | 10分 | 根据参赛队答辩环节展示情况打分 | |
考察参赛者最终制造的集成电路扩散电阻阻值与题目给定的集成电路电阻阻值的误差，误差越小者得分越高 | 30分 | 根据参赛队答辩环节展示情况打分 | |
任务三 （加分项） | 综合考察参赛者根据集成电路工艺制造技能自行完成一个工艺制造过程的能力。 | 10分 | 根据参赛队答辩环节展示情况打分 |
答辩表现 （加分项） | 综合考察参赛者的答辩材料、答辩表现和回答问题情况。 | 10分 | 根据参赛队答辩综合表现打分 |
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